Toshiba-Chip senkt Energieverbrauch von Smartphones
Cache-Speicherchips mit der Technik MRAM (“Magnetoresistive Random Access Memory”) ersetzen bald das bisher häufig verwendete SRAM (“Static Random Access Memory”) und sollen so den Energiebedarf um zwei Drittel senken. “Die Menge des SRAM, die für mobile Anwendungsprozessoren benötigt wird, hat zugenommen, und dadurch hat sich auch der Energieverbrauch erhöht”, zitiert Computerworld den Toshiba-Sprecher Atsushi Ido. “Unsere Forschung konzentriert sich auf die Senkung des Stromverbrauchs, während die Geschwindigkeit statt der Speichermenge erhöht wird.”
Wann die MRAM-Technologie Marktreife erreichen wird, teilte der Sprecher jedoch nicht mit. Den Stand seiner Forschung will das japanische Unternehmen im Lauf der Woche auf dem IEEE International Electron Devices Meeting in San Francisco vorstellen.
Die Senkung des Energiebedarfs mobiler Geräte hat für Gerätehersteller eine hohe Priorität, vor allem um die Akkulaufzeit ihrer Produkte zu verlängern. Toshiba entwickelt die MRAM-Technik aber nicht nur als Zwischenspeicher für CPUs, wo nur wenige Megabytes benötigt werden, sondern auch als möglichen Ersatz für Flash- und DRAM-Speicher.
MRAM speichert Informationen im Gegensatz zu herkömmlichem DRAM oder SRAM mit magnetischen und nicht mit elektrischen Ladungselementen. MRAM ist nicht flüchtig, benötigt aber höhere Spannungen als DRAM, um hohe Geschwindigkeiten erreichen zu können.
Computerworld zufolge nutzt Toshiba die sogenannte Spin-Torque-Technologie, bei der die Drehung eines Elektrons benutzt wird, um die Ausrichtung eines magnetischen Bits festzulegen. Das reduziere bei Schreibvorgängen den Strombedarf. Toshiba fertige die neuen Chips mit Strukturbreiten von unter 30 Nanometern.
Im vergangenen Monat hatte Everspin die Auslieferung des ersten MRAM-Chips mit Spin Torque angekündigt, der DRAM ersetzen kann. Die Chips sollen als Pufferspeicher in Solid State Drives und als schneller Speicher in Rechenzentren zum Einsatz kommen. Zudem arbeiten Toshiba und Hynix gemeinsam an MRAM-basierten Speicherprodukten, die unterschiedliche Technologien wie MRAM und NAND-Flash kombinieren sollen.
[mit Material von Stefan Beiersmann, ZDNet.de]