Samsung fertigt flotte DDR2-NAND-Speicher

Die DDR2-Multi-Level-Cell-Bauweise (MLC) der NAND-Speicherchip sei gut für Übertragungsgeschwindigkeiten von bis zu 400 Mbit/s und damit rund zehnmal schneller als die alten Single-Data-Rate-Flashchips. Neben der Performance ist auch die Kapazität ganz ordentlich, denn die in 20-nm-Prozess gefertigten Halbleiter erreichen eine Datendichte von 64 Gbit. Damit sollten superflotte SSDs im Terabyte-Bereich möglich werden. Support für Schnittstellen wie USB 3.0 oder SATA 6.0 Gbit/s sind da natürlich selbstverständlich.

»Außer SSD-Laufwerke werden auch die Smartphones der vierten Generation von diesem flotten Speicher enorm profitieren können«, betont Samsung-Manager Wanhoon Hong. Damit sei man optimal für den wachsenden NAND-Markt aufgestellt, der in diesem Jahr um 18 Prozent zulegen soll, so die Vorhersage von IHS iSuppli.