IBM: Phase Change Memory überholt Flash

Phase Change Memory (PCM), ein nichtvolatiler Speicher von hoher Dichte, bringt es noch schneller. Ein Prototyp im IBM-Labor, so behaupten sie, schaltete 500 mal schneller als Flash. Und das soll der Phasenwechsel-Speicher auf einer Grundfläche von nur 3 x 20 Nanometer bringen.

Ein solcher Ablauf kann laut IBM von Geräten mit Flash-Speicher nicht vor 2015 erreicht werden, vorausgesetzt Moores Gesetz erweist sich so lange als gültig. Die vielversprechende Technik benutzt eine Germanium-Antimon-Halbleiterbasis, ergänzt mit anderen, nicht näher bezeichneten Elementen. (Redaktion Inquirer/bk)

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