Samsung bringt Solid State Drive mit 400 GByte

Kleinere Strukturbreite und größere Effizienz der Chips und weniger Stromverbrauch: Die neuen Samsung-SSDs verwenden als Speicher MLC-Chips mit 30 Nanometern Strukturbreite, die Toshiba-Konkurrenzgeräte arbeiten mit 32 Nanometer-NSN-Flash.

Die SSD mit 400 GByte Kapazität habe eine Schreib/Leseleistung von 11.000 bzw. 43.000 IOPS, verkündet Samsung. Toshibas neues Konkurrenzprodukt MKxx01GRZB schafft 17.000 IOPS Schreibleistung und 90.000 IOPS beim Lesen. Das ist schneller, aber auch wegen des anderen Speicherchip-Typs teurer.

Samsung erklärt, man erreiche im Vergleich zu einer Serverfestplatte mit 15.000 Umdrehungen die Minute eine 120 Mal schnellere Lese- und 30 Mal beschleunigte Leseleistung. Das Gerät ist in 2,5-Zoll-Format mit den Kapazitäten 100, 200 und 400 GByte geplant, die Massenproduktion soll im Januar starten. Preise werden dann bekanntgegeben, wenn die Produkte wirklich erhältlich sind.