Neue Speichertechnik ReRAM kommt 2014 auf den Markt

Crossbar hat angekündigt, im kommenden Jahr mit der Vermarktung der Speichertechnik ReRAM (Resistive RAM) zu beginnen. Schon seit Jahren gilt dieser nichtflüchtige Speichertyp als mögliche Alternative zu Flash-Speicher. Er könnte diesen eines Tages ablösen.

CEO George Minassian erklärte gegenüber EE Times an, dass die ersten ReRAM-Produkte seines Unternehmens 2014 verfügbar werden und 2015 in Produkten wie Mikrocontrollern zur Verwendung kommen können. Schon “wenige Quartale später” sollen Produkte mit hoher Speicherdichte folgen. Der Einsatz dieser Speichertechnik in Verbraucherprodukten ist demnach nicht vor 2016 zu erwarten.

Als Vorteile von ReRAM stellt Crossbar bis zu einem TByte Speicherplatz auf einem einzigen Chip in Aussicht, denkbar wären sogar mehrere TByte. Die Schreibgeschwindigkeit erreicht das 20-fache von NAND-Flash. Der niedrige Energiebedarf könnte zudem helfen, die Akkulaufzeit mobiler Geräte zu verlängern. Die Fertigung ist relativ günstig in einem CMOS-kompatiblen Verfahren möglich. Bei der erforderlichen Dice-Größe unterbietet es Flash gegenwärtig um die Hälfte.

Crossbar wirbt mit einer zehnjährigen Funktionsfähigkeit bei unter 125 Grad Celsius sowie 10.000 Schreibzyklen für jede Zelle. ReRAM läge damit schon zum Start bei den Schreibzyklen vielfach höher als gegenwärtiger MLC-Flash.

Crossbar wurde 2010 zur kommerziellen Umsetzung aktueller Speicherforschung gegründet. Es greift auf Forschungsergebnisse von Professor Wei Lu an der Universität von Michigan zurück, der Crossbar gründete und heute als CTO dafür tätig ist. Finanziert wurde das Unternehmen von mehreren Wagniskapitalgebern.

[mit Material von Bernd Kling, ZDNet.de]