In der Halbleiter-Industrie werden SRAM-Bausteine als Test-Chips für neue Fertigungsverfahren benutzt.
UMC hat eigenen Angaben zufolge 300 Millimeter große Wafer mit 45 Nanometern Strukturbreite hergestellt. Bei der Herstellung wurde die so genannte Immersions-Belichtung zum Einsatz.
Eine 6T-SRAM-Zelle soll laut UMC dank der verkleinerten Strukturen nur noch 0,25 Quadratmikrometer Waferfläche belegen.
Auch Hersteller wie IBM und Chartered haben bereits die ersten Schritte auf dem Weg zu 45 Nanometern gemacht. AMD will Mitte 2008 nachziehen. Wann mit der Massenproduktion begonnen werden kann, gab UMC nicht bekannt.(mt/mr)
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