Samsung präsentiert High-Speed-RAM

Einen 2-Gigabyte DRAM-Riegel hat Samsung gestern der Öffentlichkeit präsentiert: Dieser wurde im 60-Nanometer Prozess gefertigt und übertrifft seine Vorgänger deutlich, was die Geschwindigkeit angeht. Der Speicherriegel ist der erste seiner Art, so der Hersteller. Eine Massenproduktion sei jedoch für Ende dieses Jahres geplant, so eine Meldung des Korea Herald.

Die Produktionseffizienz wurde dank dem 60 Nanometer Verfahren um ganze 40 Prozent erhöht. Je geringer die Nanometergröße, desto mehr Halbleiterprodukte können aus jedem einzelnen Wafer gefertigt werden.

Der High-Speed-Speicher soll in Servern, Workstations und Notebooks zum Einsatz kommen. Experten erwarten eine rasche Verbreitung von 2-GByte Speicherriegeln. Spätestens im Jahre 2011 sollen diese für rund die Hälfte der des gesamten DRAM-Marktes verantwortlich sein. (mr)

Bild: Samsung