Samsung: DDR2 Speicherriegel mit 4-GByte

Through Silicon Via, kurz TSV, so nennt sich eine von Samsung entwickelte Technologie. Diese ermöglicht es Herstellern DDR2-Ram (DIMM) noch kompakter zu gestallten, was in größeren Speichermengen resultiert. Bis zu 4-GByte Speicher in einem einzigen Riegel sollen zukünftig möglich sein. Dies gab der Hersteller in einer Mitteilung bekannt.

Derzeitiges Speicher-Maximum ist 2-GByte. Aber selbst diese Menge wird nur von den wenigsten, derzeit erhältlichen, Mainboards unterstützt. Möglich wird die enorme Menge von 4-GByte durch ein neuartiges Herstellungsverfahren.

Bisher mussten einzelne Speicher-Plättchen durch Drähte miteinander verbunden werden. Dies erforderte einen gewissen Abstand zwischen den Platinen. Dieser fällt nun weg indem in die einzelnen Platinen Löcher gebohrt werden. Diese Löcher werden mit Kupfer ausgefühlt, wodurch der Zwischenraum wegfällt und kompaktere Speicherriegel produziert werden können. (mr)

Bild: Samsung