Samsung hat nach eigenen Angaben das erste, voll funktionsfähige DDR3-DRAM-Modul hergestellt. Die neue Speichertechnologie erreicht eine Geschwindigkeit von 800 MHz und soll im kommenden Jahr das bislang aktuelle DDR2 ablösen. Der Prototyp ist 512 MB groß und arbeitet mit 1066 MBit pro Sekunde. Er benötigt nur 1,5 Volt Spannung; bisherige DDR2-Module brauchen 1,8 Volt. Samsung will die Bausteine in einem 80 nm-Prozess fertigen und ab 2006 für Notebooks, Desktop-PC und Server vermarkten. Die Marktforscher von IDC vermuten, der Durchbruch für DDR3 werde erst 2007 kommen. Für 2009 prognostizieren die IDC-Experten einen Marktanteil von 65 Prozent. (mk) ( – testticker.de)