Intel zeigt 65-Nanometer-Speicherchip
Der erste voll funktionsfähige 70-Mbit-SRAM-Speicher, der in 65-Nanometer-Technik hergestellt wurde, ist laut Intel ein technischer Meilenstein.
Wenn man schon bei den Dual-Core-Prozessoren ein paar Tage hinter Erzfeind AMD dran ist, will man wenigstens einen anderen technischen Fortschritt bei Intel feiern: In einer Pressemitteilung sind die Intel-Techniker mächtig stolz, mit dem ersten 65-Nanometer-Chip ein weiteres Mal das “Moore´sche Gesetz” sichergestellt zu haben. Der Intel-Mitgründer hatte 1965 die These aufgestellt, die Zahl der Transistoren auf einem Chip und dessen Leistungsfähigkeit würden sich alle zwei Jahre verdoppeln. Obwohl schon technische Grenzen nahen, konnten Intel-Ingenieure mit herkömmlicher Vorgehensweise – nur eben kleiner – dies gerade noch erreichen.
Der 70-Mbit-SRAM-Speicher kann auf nur 110 Quadratmillimetern eine halbe Milliarde Transistoren unterbringen. Die Gates zum Umschalten der Speicherzustände sind 65 Nanometer klein; sie unterbieten damit die derzeit genutzte 90-Nanometer-Technik um 30 Prozent beim Platzbedarf für die gleiche Leistung.
Vom Erfolg beflügelt, stellten die Techniker gleich Vergleiche mit dem medizinischen Fortschritt an: 100 solcher 65-Nano-Gates würden in den Durchmesser einer roten Blutzelle passen. Intel möchte die “Blutzellen-Speicher” schon im kommenden Jahr verkaufen. (mk)
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