Toshiba ebnet den Weg für Magnet-RAM

Toshiba hat laut eigenen Angaben eine MRAM-Speicherzelle gefertigt. Diese nutzt das magnetische Speicherverfahren und soll laut dem japanischen Unternehmen stabil sein. Bei MRAM handelt es sich um die nächste Generation des Arbeitsspeichers. Dieser soll ähnlich schnell sein wie heutiger DRAM und dabei schnellen Schreib- und Lesezugriff gewährleisten, so eine Meldung des japanischen Tech-On.

MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) speichert seine Daten im Gegensatz zu gewöhnlichem Arbeitsspeicher nicht mit elektrischen Impulsen sondern auf magnetischer Ebene. Der Vorteil der MRAM-Technik liegt klar auf der Hand: Die Chips behalten ihre gespeicherten Daten auch nach dem Abschalten der Energieversorgung. Damit fällt der lästige Bootvorgang beim Starten des Betriebssystems weg. Im Gegensatz zur Flashtechnologie können MRAMs wie herkömmlicher DRAM/SRAM praktisch unendlich oft beschrieben werden. (mr)