Intel plant für Chips mit 10 Nanometern Strukturbreite

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Intel-Forscher glauben, das Problem der Chipfertigung mit 10 Nanometern Strukturbreite gelöst zu haben. Das haben sie jetzt auf dem Intel Developer Forum in San Francisco mitgeteilt. Die höhere Transistorendichte erfordert verfeinerte Herstellungsmechanismen – und möglicherweise auch neue Materialien.

Roadmap für die Prozessorfertigung (Folie: Intel)

Aktuell baut Intel seine Prozessoren der Reihen Ivy Bridge und Haswell im 22-Nanometer-Prozess, wofür es schon 3D-Gatter (Tri-Gate) benötigt. Als nächstes stehen 14 Nanometer an, die Intel Ende 2013 oder Anfang 2014 einführen wird.

“Die 14-Nanometer-Technik wird jetzt voll entwickelt; sie liegt im Zeitplan, um bis Ende nächsten Jahres die Produktion starten zu können”, sagte der für Prozessorarchitektur zuständige Intel-Direktor Mark Bohr auf dem Intel Developer Forum in San Francisco. “Ich verwende meine Zeit gerade darauf, einen Weg für 10 Nanometer zu finden, und glaube, da eine Lösung zu haben.”

Genaue Angaben machte Bohr nicht, zeigte aber eine Folie mit einer Reihe von Techniken und Substanzen, die seiner Meinung nach in Frage kommen: Photonik, Graphen, Materialsynthese, Speicherverdichtung, Nanodrähte, EUV-Lithografie und verbesserte Tri-Gate-Transistoren. Die Herstellung mit EUV – extrem ultravioletter Strahlung – nennt Bohr äußerst attraktiv, aber man habe schon ein Immersionslithografieverfahren, das funktioniere: “Ich hätte sehr gerne EUV für 10 Nanometer, aber es ist fraglich, ob es rechtzeitig fertig sein wird.” Gleichzeitig sei das eine Frage des Preises.

Bohr zufolge forscht Intel auch schon an 7-Nanometer- und 5-Nanometer-Chips. Sie liegen allerdings noch in weiter Ferne – schon 10-Nanometer-Prozessoren werden wohl nicht vor 2015 in Produktion gehen.

[mit Material von Jack Clark, ZDNet.com]