Intel lässt Smartphones “lauter” funken

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Der Chipriese will sich mit allen Mitteln im Mobilfunkmarkt etablieren. Eine dieser Anstrengungen schlägt sich nun in einem Halbleiter nieder, der Mobilfunksignale schon bei deren Entstehung im Chip verstärkt. Das könnte helfen, die Geräte noch schlanker und presiwerter machen.

Offenbar holt Intel nach seinem Kauf der entsprechenden Infineon-Abteilung das Beste aus den Mobilfunk-Chip-Entwicklungen des ehemals deutschen Halbleiter-Entwicklungshauses heraus. Mit einem neuen 3G-Funkchip für Smartphones und andere Mobilgeräte bereitet sich das US-Unternehmen nach eigenen Worten auf das “Internet der Dinge” vor.

Mit der kurzen Erklärung “Der SMARTi UE2p” integriert 3G-Leistungsverstärker auf einem Hochfrequenz-Schaltkreis für die Übertragung von Funkdaten“, versucht Intel die Besonderheit des SoC (System-on-a-Chip) in kurzen Worten zu erklären. Anders gesagt: Hersteller von Mobilfunkgeräten brauchen sich künftig nicht mehr darum zu kümmern, schwache Signale mit gesonderten Schaltungen noch einmal zu verstärken.

Am Ende sollen dadurch noch kleinere und preiswertere Mobilfunkgeräte möglich werden: Bezahlbare 3G-Smartphones oder aber auch Module für den schnellen Datenaustausch intelligenter IP-Geräte schweben Intel als Einsatzgebiete des Halbleiters vor.

Technisch exakter beschreibt der Hersteller: “Der SMARTi UE2p-Chip kombiniert Intels 3G High Speed Packet Access (HSPA) Hochfrequenz-Transceiver SMARTiTM UE2 sowie 3G-Leistungsverstärker auf einem einzigen 65-nm-Siliziumchip. Power Management und Sensoren sind integriert und erlauben so den direkten Anschluss an die Batterie des entsprechenden Endgeräts”.

Ab dem vierten Quartal dieses Jahres will Intel erste Exemplare des Chips an seine Kunden ausliefern. Möglicherweise sind erste Geräte damit dann schon auf dem Mobile World Congress im Frühjahr zu sehen.

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