Toshiba stellt erste SSDs mit 19-Nanometer-NAND-Technik vor

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Das japanische Unternehmen hat die eigenen Angaben zufolge im Markt ersten Solid State Drives (SSDs) mit 19-Nanometer-NAND-Flash angekündigt. Sie sollen im August lieferbar sein. Die meisten aktuellen Modelle nutzen im 25-Nanometer-Verfahren gefertigte Flash-Chips.

Die neuen Toshiba-Laufwerke werden voraussichtlich im August mit Kapazitäten von 64, 128, 256 und 512 GByte auf den Markt kommen. Außer zwei Versionen mit 9,5 (THNSNFxxxGBSS) und 7 Millimeter dickem Gehäuse (THNSNFxxxGCSS) ist auch eine gehäuselose mSATA-Variante (THNSNFxxxGMCS) als Steckmodul geplant. Preise für die 19-Nanometer-SSDs hat Toshiba noch nicht mitgeteilt.

Toshibas 19-Nanometer-SSDs bieten bis zu 512 GByte Speicherplatz (Bild: Toshiba).

Die Neuvorstellungen verwenden Multi-Level-Cell-Speicher (MLC) und eine 6-GBit/s-SATA-Schnittstelle. Sie erreichen laut Hersteller eine sequenzielle Leserate von 524 MByte/s. Die Schreibgeschwindigkeit bei zufälligen Daten beträgt bei den meisten Modellen bis zu 461 MByte/s. Lediglich die 64-GByte-Version schafft höchstens 420 MByte/s.

Die Performance gibt Toshiba beim Verarbeiten von 4-KByte-Blöcken mit bis zu 80.000 Eingabebefehlen pro Sekunde (IOPS) im Lesebetrieb (Random Read) und maximal 35.000 IOPS im Schreibmodus (Random Write) an. Auch hier ist die 64-GByte-Variante etwas langsamer: Sie kommt auf maximal 50.000 IOPS beim Lesen und 25.000 IOPS beim Schreiben.

Die mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (Mean Time Between Failures, MTBF) ist bei allen SSDs mit 1,5 Millionen Stunden spezifiziert. Die Laufwerke unterstützen Advanced Power Management (APM), den TRIM-Befehl von Windows 7 und das von Toshiba entwickelte ECC-Verfahren QSBC (Quadruple Swing-By Code), das Lesefehler vermeiden soll. Die Funktion “Data Corruption Protection” soll Daten zudem im Falle einer unerwarteten Unterbrechung der Stromversorgung beim Transfer oder bei Schreibfehlern schützen.