Samsung überrascht mit Speicher-Prototyp

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Einen technologischen Durchbruch melden die Südkoreaner. Sie haben einen Speicherbaustein gebaut, der sich etwa eine Million mal häufiger beschreiben lasse als herkömliche Flash-Module.

Samsung kündigte gerade offiziell seine Speichertechnologie »Resistive Random Access Memory« (RRAM) an. Den Entwicklungsingenieuren des Konzerns sei es gelungen, die Zuverlässigkeit des Halbleiters signifikant zu steigern. So könne der RRAM-Prototyp eine Billion Mal problemlos zwischen Schreiben und Löschen von Daten hin und her schalten. Das sei etwa eine Million mal besser als es ein heutiger Flash-Speicher hinbekomme, rechnet Samsung vor.

Der Chip basiert nicht mehr auf den klassische Silizium-Strukturen, sondern nutze als Basis das Metall Tantalum (Ta). Das erlaube gleichzeitig hohe Dichte, lange Haltbarkeit, schnelle Schaltprozesse und obendrein noch einen geringen Stromverbrauch. Wann Samsung gedenkt, die RRAM-Module serienfertig haben zu wollen oder die Massenproduktion starten zu können, darüber hielt sich der Konzern bedeckt. Höchstwahrscheinlich wird es wohl schneller gehen als bei IBM, die neulich ihren PCM-Speicher ankündigten.