Intel und Micron bringen 20nm-Flashspeicher

Data & StorageStorage

Die beiden Halbleiterhersteller haben ihre bislang feinmaschigste Architektur an Speicherchips serienreif vollendet.

Durch den 20nm-Prozess bei ihren NAND-Speichereinheiten wird schon der kleinste Flash-Chip eine Kapazität von 8 GByte aufweisen. Auf dessen Basis sollen nun Solid State Drives und Embedded-Storage-Lösungen entstehen.

Da die Speicherchips nun kleiner und datendichter ausfallen als je zuvor, verbrauchen sie auch weniger Energie, betont Intel. Effizienter falle auch der Produktionsprozess aus, was die Fertigungskosten senken dürfte. Größere Mengen der 8-GByte-Exemplare werde man nach der Sommerpause produzieren können. Bald danach sei auch die 16-GByte-Variante fertig, verspricht Micron.

»Unser Ziel ist es, den Kunden erschwingliche und hochwertige Speicherlösungen zu liefern und jede Generation zu verbessern und kosteneffizienter zu machen«, führt Intel-Vizepräsident Tom Rampone aus. Ein Weg dazu sei es eben, ständig den Herstellungsprozess zu optimieren und kleinere Strukturen zu schaffen. In 2009 waren es noch 34 nm gewesen und voriges Jahr hatte man sich schon auf 25 nm gesteigert.