Intel stellt billigen High-Tech Fotodetektor vor

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Intel entwickelt seit einigen Jahren optronische Halbleiter auf Silizium-Basis. Vor wenigen Tagen machte der Halbleitergigant nun einen wichtigen Schritt zum Lichtleiter-Prozessor.

Intel stellt der Fachwelt einen sogenannten Avalanche Photo Detector (APD) vor. Das neuartige daran ist, dass der Fotodetektor so leistungsfähig ist, wie deutlich teurere Detektoren aus Indiumphosphid. Damit kommt Intel dem Ziel näher, optische Halbleiter auf Basis von Silizium herzustellen.

Wichtig für die Kommunikation mit Licht ist die Fähigkeit, das Licht über weite Strecken zu leiten und zu verstärken. Bisher konnten dies nur die teuren III-V Halbleiter mit sehr geringem Restrauschen sicherstellen. Intel-Forscher beschreiben nun aber einen APD-Silizium-Halbleiter mit einem Verstärkungsbandbreitenprodukt von 340 GHz, der mit einer dünnen Germanium-Schicht bedeckt ist und ähnliches leisten soll. Die Schwierigkeit bestand darin, die hohen Gitterspannungen zwischen Silizium und Germanium auszunutzen, ohne dass sich dabei auf der Oberfläche Fehlstellen und Risse entwickeln.

Die Technik der Restlichtverstärkung im Intel-Silizium-Chip gleicht der Technik in den Typ III-V-Halbleitern. In Intels Avalanche-Restlichtverstärker schlägt ein einzelnes Lichtteilchen (Photon) bis zu 20 Elektronen aus dem SiGe-Halbleiter heraus (Siehe dazu die Flash-Animation)

Mit dieser Technik könnten billige 40-GBit-Netzwerke entwickelt werden. Der Halbleiterriese entwickelte und forschte gemeinsam mit der Defense Advanced Research Projects Agency (DARPA) und Numonyx. Numonyx ist ein enger Intel-Partner für Flash- und alternative Speichertechnik. (Martin Bobowsky)