Die PRAM-Chips nehmen an Fahrt auf

Data & StorageStorage

Mehr Speicherhersteller wenden sich der neuen Technologie “Phase Change Random Access Memory” (PRAM) zu.

Das Wirtschaftsblatt Nikkei meldete, dass die Produzenten Renesas und Hitachi nun binnen drei Jahren PRAM-Chips für ihren Heimatmarkt herstellen wollen.

Das Hauptargument für PRAM ist die hohe Schreibgeschwindigkeit, da vor dem Schreibzugriff nicht erst größere Datenblöcke gelöscht werden müssen. Effektiv sei PRAM 30 mal schneller als herkömmliche Flash-Speichersteine.

Das PRAM-Herstellungesverfahren verbraucht obendrein rund 20 Prozess-Schritte weniger als NOR-Flash und kommt zudem mit weniger Chip-Fläche aus. (rm)

Bild: Toshiba

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