Samsung stellt PRAM vor

ForschungInnovation

Samsung hat einen ersten Prototypen seines neuen Speichers vorgestellt: “Phase-change RAM”, kurz PRAM heißt der neue Speicher.

PRAM soll innerhalb des nächsten Jahrzehnts die heutzutage in Rechner eingesetzten “High Density NOR Flash Chips” ersetzen. Beim vorgestellten Prototypen handelt es sich um einen 512 Megabit-Baustein.

Laut Samsung sei das Hauptargument für PRAM die höhere Schreibgeschwindigkeit. Der Grund dafür liege darin, dass vor dem Schreibzugriff nicht erst größere Datenblöcke gelöscht werden müssten. Effektiv sei PRAM 30 mal schneller als herkömmliche Flash-Speichersteine.

Zudem erwartet Samsung eine etwa zehnfach höhere Zahl an Lese- und Schreibzyklen.

Für den Speicherproduzenten besonders interessant ist auch das Herstellungesverfahren. So benötigt PRAM bei der Herstellung rund 20 Prozess-Schritte weniger als NOR-Flash und kommt zudem mit weniger Chip-Fläche aus.

Im Vergleich zu den von Samsung hergestellten NOR-Flash-Zellen sollen PRAM-Zellen nur halb so groß sein. Bereits in zwei Jahren sollen PRAM-Bauteile NOR-Flash-Speicher allmählich ablösen.

Die Massenfertigung der neuen Speichersteine soll irgendwann 2008 beginnen, so Samsung. (ds)

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