Hynix kündigt 512Mbit GDDR4 DRAM an

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Die nunmehr vierte Generation des flotten Speichers für Grafiksysteme soll ab Anfang 2006 in die Massenproduktion gehen.

Hynix hat die Verfügbarkeit seines 512Mbit GDDR4 DRAM angekündigt, der speziell in Grafiksystemen eingesetzt werden soll. Das Unternehmen will in diesen Tagen beginnen, Samples zu produzieren und an die Anbieter von Grafik-Chipsätzen auszuliefern. Die Massenproduktion werde Anfang 2006 beginnen, berichtet DigiTimes.

Damit bringt Hynix nun die vierte Generation von Speichern für Grafiklösungen, die nach Unternehmensangaben fast doppelt so schnell wie GDDR3-Module arbeiten sollen. Der Hynix 16Mx32 512Mbit GDDR4 erreicht eine Geschwindigkeit von 2,9 Gbps sowie einen Datendurchsatz von 11,6 GByte pro Sekunde. Damit eignet sich der Chip hervorragend für den Einsatz in Game-Konsolen und für PCs auf 64-Bit-Basis.

Samsung hatte Ende Oktober die Entwicklung eines 256 Mbit GDDR4-Speichers angekündigt. Er soll 2,8 Gbps schnell sein und im zweiten Quartal 2006 in die Massenproduktion kommen. (dd)

( – testticker.de)

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