Strained-Silicon soll Prozessoren beschleunigen

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AMD und IBM ist es gelungen, die Technik des “gestreckten” Siliziums mit der SI-Technologie zu verbinden und so die Leistungsfähigkeit von Transistoren zu erhöhen.

Nach Angaben von AMD und
IBM
kann die Leistungsfähigkeit von Transistoren mit Strained Silicon, was sich mit “gestrecktes Silizium” übersetzen läßt, deutlich erhöhen. Demnach sollen entsprechend produzierte Protoypen im Vergleich zu herkömmlichen Transistoren bei gleicher Verlustleistung 24 Prozent schneller sein.

Zahlreiche Halbleiterfirmen experimentieren mit Strained Silicon, allerdings ist es AMD und IBM erstmals gelungen, die Technik in Verbindung mit SOI-Technologie (Silicon-on-Insulator) einzusetzen. Die Unternehmen glauben, dass sich damit unter anderem die bei immer kleineren Strukturen verstärkenden Leckströme eindämmen lassen und Strom- wie Erwärmungswerte besser kontrollieren lassen als bisher.

AMD will die Technik in seine in 90 nm Strukturbreite hergestellten Prozessoren einbinden. Es wird erwartet, dass zunächst die AMD64-Architektur in Single- und Multi-Core-Form davon profitieren wird und erste Chips im ersten Halbjahr 2005 auf den Markt kommen. IBM will Strained Silicon ebenso bei “mehreren” Prozessorplattformen verwenden. Dazu zählen auch die PowerPC-CPUs, die die Technologie ebenfalls im ersten Halbjahr 2005 erhalten werden. (mk)
( – testticker.de)

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